Infineon Technologies - FF200R12KE4PHOSA1

KEY Part #: K6534479

FF200R12KE4PHOSA1 Цены (доллары США) [832шт сток]

  • 1 pcs$55.79578

номер части:
FF200R12KE4PHOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOD IGBT MED PWR 62MM-1.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FF200R12KE4PHOSA1 electronic components. FF200R12KE4PHOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF200R12KE4PHOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF200R12KE4PHOSA1 Атрибуты продукта

номер части : FF200R12KE4PHOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOD IGBT MED PWR 62MM-1
Серии : *
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Half Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 200A
Мощность - Макс : -
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.