IXYS - IXFH50N20

KEY Part #: K6399912

IXFH50N20 Цены (доллары США) [9590шт сток]

  • 1 pcs$4.94025
  • 10 pcs$4.44710
  • 100 pcs$3.65662
  • 500 pcs$3.06364

номер части:
IXFH50N20
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFH50N20 electronic components. IXFH50N20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH50N20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH50N20 Атрибуты продукта

номер части : IXFH50N20
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 220nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4400pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 300W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AD (IXFH)
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • VN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.