IXYS - IXTP2N80P

KEY Part #: K6419171

IXTP2N80P Цены (доллары США) [95429шт сток]

  • 1 pcs$0.45297
  • 50 pcs$0.45071

номер части:
IXTP2N80P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - JFETs, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTP2N80P electronic components. IXTP2N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP2N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP2N80P Атрибуты продукта

номер части : IXTP2N80P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
Серии : PolarHV™
Состояние детали : Last Time Buy
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 10.6nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 440pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 70W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3