IXYS - IXTY2R4N50P

KEY Part #: K6419169

IXTY2R4N50P Цены (доллары США) [95429шт сток]

  • 1 pcs$0.47355
  • 70 pcs$0.47120

номер части:
IXTY2R4N50P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTY2R4N50P electronic components. IXTY2R4N50P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY2R4N50P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY2R4N50P Атрибуты продукта

номер части : IXTY2R4N50P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Серии : PolarHV™
Состояние детали : Last Time Buy
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.75 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 6.1nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 240pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 55W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252, (D-Pak)
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в