Infineon Technologies - IPP65R190CFDAAKSA1

KEY Part #: K6417639

IPP65R190CFDAAKSA1 Цены (доллары США) [37177шт сток]

  • 1 pcs$1.05173
  • 500 pcs$1.03737

номер части:
IPP65R190CFDAAKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V TO-220-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы специального назначения, Модули питания драйверов, Диоды - РФ and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPP65R190CFDAAKSA1 electronic components. IPP65R190CFDAAKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP65R190CFDAAKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP65R190CFDAAKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPP65R190CFDAAKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Серии : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 17.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1850pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 151W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в