Infineon Technologies - IPB096N03LGATMA1

KEY Part #: K6407691

[886шт сток]


    номер части:
    IPB096N03LGATMA1
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies IPB096N03LGATMA1 electronic components. IPB096N03LGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB096N03LGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPB096N03LGATMA1 Атрибуты продукта

    номер части : IPB096N03LGATMA1
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3
    Серии : OptiMOS™
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 35A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.6 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 15nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1600pF @ 15V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 42W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : D²PAK (TO-263AB)
    Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • TPC6104(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6107(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6006-H(TE85L,F)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A.

    • 2N7000-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

    • BS170_J35Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • IRFR15N20DTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 17A DPAK.