STMicroelectronics - STD12N50M2

KEY Part #: K6418839

STD12N50M2 Цены (доллары США) [79761шт сток]

  • 1 pcs$0.49022
  • 2,500 pcs$0.43461

номер части:
STD12N50M2
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - Выпрямители - Массивы and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STD12N50M2 electronic components. STD12N50M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD12N50M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD12N50M2 Атрибуты продукта

номер части : STD12N50M2
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Серии : MDmesh™ M2
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 10A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 550pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 85W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DPAK
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IXTY3N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.