Toshiba Semiconductor and Storage - TK9P65W,RQ

KEY Part #: K6419559

TK9P65W,RQ Цены (доллары США) [118862шт сток]

  • 1 pcs$0.31118
  • 2,000 pcs$0.30893

номер части:
TK9P65W,RQ
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы специального назначения and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK9P65W,RQ electronic components. TK9P65W,RQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK9P65W,RQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK9P65W,RQ Атрибуты продукта

номер части : TK9P65W,RQ
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
Серии : DTMOSIV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 9.3A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 560 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 350µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 700pF @ 300V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 80W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DPAK
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в