Microchip Technology - 2N7000-G

KEY Part #: K6407601

2N7000-G Цены (доллары США) [246108шт сток]

  • 1 pcs$0.15424
  • 25 pcs$0.12877
  • 100 pcs$0.11628

номер части:
2N7000-G
производитель:
Microchip Technology
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microchip Technology 2N7000-G electronic components. 2N7000-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7000-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N7000-G Атрибуты продукта

номер части : 2N7000-G
производитель : Microchip Technology
Описание : MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 200mA (Tj)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 60pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-92-3
Пакет / Дело : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVN4206AVSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • 2N7000-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

  • BS170_J35Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • TK50P04M1(T6RSS-Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3.