Infineon Technologies - BSC200P03LSGAUMA1

KEY Part #: K6406805

[1192шт сток]


    номер части:
    BSC200P03LSGAUMA1
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - IGBT - Single ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies BSC200P03LSGAUMA1 electronic components. BSC200P03LSGAUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC200P03LSGAUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSC200P03LSGAUMA1 Атрибуты продукта

    номер части : BSC200P03LSGAUMA1
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8
    Серии : OptiMOS™
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : P-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 12.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 100µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 48.5nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±25V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2430pF @ 15V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 63W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : PG-TDSON-8
    Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • CPH6341-TL-E

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 30V 5A CPH6.

    • TK40P04M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.

    • TK40P03M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A.

    • IRLR8256PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 81A DPAK.

    • IRLR8259PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 57A DPAK.

    • NDF08N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP.