Toshiba Semiconductor and Storage - TK40P03M1(T6RSS-Q)

KEY Part #: K6406713

[1224шт сток]


    номер части:
    TK40P03M1(T6RSS-Q)
    производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - РФ, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы - IGBT - Single ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1(T6RSS-Q) electronic components. TK40P03M1(T6RSS-Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK40P03M1(T6RSS-Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TK40P03M1(T6RSS-Q) Атрибуты продукта

    номер части : TK40P03M1(T6RSS-Q)
    производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
    Описание : MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A
    Серии : U-MOSVI-H
    Состояние детали : Active
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 40A (Ta)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.8 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 100µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 17.5nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1150pF @ 10V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : -
    Рабочая Температура : -
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : DP
    Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • TK40P04M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.

    • TK40P03M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A.

    • IRLR8256PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 81A DPAK.

    • IRLR8259PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 57A DPAK.

    • NDF08N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP.

    • NDF05N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V TO-220FP.