Infineon Technologies - IRFI7446GPBF

KEY Part #: K6419148

IRFI7446GPBF Цены (доллары США) [93836шт сток]

  • 1 pcs$0.41669
  • 2,000 pcs$0.33547

номер части:
IRFI7446GPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 80A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFI7446GPBF electronic components. IRFI7446GPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFI7446GPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFI7446GPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFI7446GPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 40V 80A
Серии : HEXFET®, StrongIRFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 48A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3199pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 40.5W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB Full-Pak
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в