Toshiba Semiconductor and Storage - TK3P50D,RQ(S

KEY Part #: K6420474

TK3P50D,RQ(S Цены (доллары США) [197635шт сток]

  • 1 pcs$0.20689
  • 2,000 pcs$0.20587

номер части:
TK3P50D,RQ(S
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK3P50D,RQ(S electronic components. TK3P50D,RQ(S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK3P50D,RQ(S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK3P50D,RQ(S Атрибуты продукта

номер части : TK3P50D,RQ(S
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 280pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 60W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DPAK
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в