Infineon Technologies - IPW60R055CFD7XKSA1

KEY Part #: K6411295

IPW60R055CFD7XKSA1 Цены (доллары США) [8261шт сток]

  • 1 pcs$4.98872

номер части:
IPW60R055CFD7XKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
HIGH POWERNEW.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPW60R055CFD7XKSA1 electronic components. IPW60R055CFD7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPW60R055CFD7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R055CFD7XKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPW60R055CFD7XKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : HIGH POWERNEW
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 38A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 900µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 79nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3194pF @ 400V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 178W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO247-3
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BS107PSTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • BS107PSTOA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • BS170_L34Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • VN2410LG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92.

  • VN2222LLG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

  • FDD6688S

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 88A D-PAK.