Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J325F,LF

KEY Part #: K6421657

SSM3J325F,LF Цены (доллары США) [1298908шт сток]

  • 1 pcs$0.03148
  • 3,000 pcs$0.03132

номер части:
SSM3J325F,LF
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы специального назначения and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F,LF electronic components. SSM3J325F,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J325F,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3J325F,LF Атрибуты продукта

номер части : SSM3J325F,LF
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Серии : U-MOSVI
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 4.6nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 270pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 600mW (Ta)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : S-Mini
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в