Nexperia USA Inc. - PSMN8R0-80YLX

KEY Part #: K6420338

PSMN8R0-80YLX Цены (доллары США) [183784шт сток]

  • 1 pcs$0.20226
  • 1,500 pcs$0.20125

номер части:
PSMN8R0-80YLX
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN8R0-80YLX electronic components. PSMN8R0-80YLX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN8R0-80YLX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN8R0-80YLX Атрибуты продукта

номер части : PSMN8R0-80YLX
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Серии : TrenchMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 80V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 100A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 104nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 8167pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 238W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : LFPAK56, Power-SO8
Пакет / Дело : SC-100, SOT-669

Вы также можете быть заинтересованы в