ON Semiconductor - FQD9N25TM-F085

KEY Part #: K6420253

FQD9N25TM-F085 Цены (доллары США) [174655шт сток]

  • 1 pcs$0.21177

номер части:
FQD9N25TM-F085
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FQD9N25TM-F085 electronic components. FQD9N25TM-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD9N25TM-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD9N25TM-F085 Атрибуты продукта

номер части : FQD9N25TM-F085
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
Серии : Automotive, AEC-Q101, QFET®
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 250V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7.4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 700pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-Pak
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в