Infineon Technologies - IRFH5210TRPBF

KEY Part #: K6419855

IRFH5210TRPBF Цены (доллары США) [138806шт сток]

  • 1 pcs$0.27912
  • 4,000 pcs$0.27774

номер части:
IRFH5210TRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Модули, Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFH5210TRPBF electronic components. IRFH5210TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH5210TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH5210TRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFH5210TRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 10A (Ta), 55A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.9 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 59nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2570pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-PQFN (5x6)
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в