Infineon Technologies - SISC185N06LX1SA1

KEY Part #: K6421475

SISC185N06LX1SA1 Цены (доллары США) [600728шт сток]

  • 1 pcs$0.20961

номер части:
SISC185N06LX1SA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
TRANSISTOR P-CH BARE DIE.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies SISC185N06LX1SA1 electronic components. SISC185N06LX1SA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISC185N06LX1SA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISC185N06LX1SA1 Атрибуты продукта

номер части : SISC185N06LX1SA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : TRANSISTOR P-CH BARE DIE
Серии : *
Состояние детали : Active
Тип FET : -
Технология : -
Слив к источнику напряжения (Vdss) : -
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : -
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : -
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : -
Рабочая Температура : -
Тип монтажа : -
Комплект поставки устройства : -
Пакет / Дело : -

Вы также можете быть заинтересованы в