Vishay Siliconix - SQ1464EEH-T1_GE3

KEY Part #: K6421466

SQ1464EEH-T1_GE3 Цены (доллары США) [586266шт сток]

  • 1 pcs$0.06309

номер части:
SQ1464EEH-T1_GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CHAN 60V SC-70.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - JFETs, Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - стабилитроны - одинарные and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SQ1464EEH-T1_GE3 electronic components. SQ1464EEH-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ1464EEH-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ1464EEH-T1_GE3 Атрибуты продукта

номер части : SQ1464EEH-T1_GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CHAN 60V SC-70
Серии : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 440mA (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.41 Ohm @ 2A, 1.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 4.1nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 140pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 430mW (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SC-70-6
Пакет / Дело : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Вы также можете быть заинтересованы в