STMicroelectronics - STB3NK60ZT4

KEY Part #: K6419843

STB3NK60ZT4 Цены (доллары США) [137704шт сток]

  • 1 pcs$0.26994
  • 2,000 pcs$0.26860

номер части:
STB3NK60ZT4
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы специального назначения and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STB3NK60ZT4 electronic components. STB3NK60ZT4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB3NK60ZT4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB3NK60ZT4 Атрибуты продукта

номер части : STB3NK60ZT4
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
Серии : SuperMESH™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 11.8nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 311pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 45W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в