Vishay Siliconix - SIR840DP-T1-GE3

KEY Part #: K6407810

[844шт сток]


    номер части:
    SIR840DP-T1-GE3
    производитель:
    Vishay Siliconix
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Vishay Siliconix SIR840DP-T1-GE3 electronic components. SIR840DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR840DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIR840DP-T1-GE3 Атрибуты продукта

    номер части : SIR840DP-T1-GE3
    производитель : Vishay Siliconix
    Описание : MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : -
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
    Vgs (Макс) : -
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : -
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8
    Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8

    Вы также можете быть заинтересованы в