Infineon Technologies - IPB107N20N3GATMA1

KEY Part #: K6417062

IPB107N20N3GATMA1 Цены (доллары США) [24353шт сток]

  • 1 pcs$1.69238

номер части:
IPB107N20N3GATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - JFETs, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB107N20N3GATMA1 electronic components. IPB107N20N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB107N20N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB107N20N3GATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB107N20N3GATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 88A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.7 mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 7100pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 300W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.