IXYS - IXFR10N100Q

KEY Part #: K6402877

IXFR10N100Q Цены (доллары США) [3368шт сток]

  • 1 pcs$14.86481
  • 30 pcs$14.79085

номер части:
IXFR10N100Q
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы специального назначения, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ - Модули and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFR10N100Q electronic components. IXFR10N100Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR10N100Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR10N100Q Атрибуты продукта

номер части : IXFR10N100Q
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1000V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 9A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2900pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 250W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : ISOPLUS247™
Пакет / Дело : ISOPLUS247™

Вы также можете быть заинтересованы в