Infineon Technologies - IPS65R600E6AKMA1

KEY Part #: K6419719

IPS65R600E6AKMA1 Цены (доллары США) [127686шт сток]

  • 1 pcs$0.28968
  • 1,500 pcs$0.26580

номер части:
IPS65R600E6AKMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V TO-251-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPS65R600E6AKMA1 electronic components. IPS65R600E6AKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPS65R600E6AKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPS65R600E6AKMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPS65R600E6AKMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 650V TO-251-3
Серии : CoolMOS™ E6
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7.3A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 210µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 440pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 63W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO251-3
Пакет / Дело : TO-251-3 Stub Leads, IPak

Вы также можете быть заинтересованы в