Infineon Technologies - BSD314SPEH6327XTSA1

KEY Part #: K6421586

BSD314SPEH6327XTSA1 Цены (доллары США) [914187шт сток]

  • 1 pcs$0.04046
  • 3,000 pcs$0.03872

номер части:
BSD314SPEH6327XTSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSD314SPEH6327XTSA1 electronic components. BSD314SPEH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSD314SPEH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSD314SPEH6327XTSA1 Атрибуты продукта

номер части : BSD314SPEH6327XTSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 6.3µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 2.9nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 294pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 500mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-SOT363-6
Пакет / Дело : 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Вы также можете быть заинтересованы в