Infineon Technologies - IRLI540NPBF

KEY Part #: K6402860

IRLI540NPBF Цены (доллары США) [56679шт сток]

  • 1 pcs$0.66060
  • 10 pcs$0.58492
  • 100 pcs$0.46242
  • 500 pcs$0.33924
  • 1,000 pcs$0.26782

номер части:
IRLI540NPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRLI540NPBF electronic components. IRLI540NPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLI540NPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLI540NPBF Атрибуты продукта

номер части : IRLI540NPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 23A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 44 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 74nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1800pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 54W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB Full-Pak
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в