Nexperia USA Inc. - PMXB75UPEZ

KEY Part #: K6421600

PMXB75UPEZ Цены (доллары США) [948684шт сток]

  • 1 pcs$0.04270
  • 5,000 pcs$0.04248

номер части:
PMXB75UPEZ
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - ТРИАКС, Модули питания драйверов and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMXB75UPEZ electronic components. PMXB75UPEZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMXB75UPEZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMXB75UPEZ Атрибуты продукта

номер части : PMXB75UPEZ
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.9A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 12nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 608pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DFN1010D-3
Пакет / Дело : 3-XDFN Exposed Pad

Вы также можете быть заинтересованы в