Diodes Incorporated - DMJ70H900HJ3

KEY Part #: K6393319

DMJ70H900HJ3 Цены (доллары США) [64604шт сток]

  • 1 pcs$0.60827
  • 75 pcs$0.60524

номер части:
DMJ70H900HJ3
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET BVDSS 651V 800V TO251.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMJ70H900HJ3 electronic components. DMJ70H900HJ3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMJ70H900HJ3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMJ70H900HJ3 Атрибуты продукта

номер части : DMJ70H900HJ3
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 700V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 18.4nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 603pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 68W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-251
Пакет / Дело : TO-251-3, IPak, Short Leads

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VN1206L-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3.

  • FDD390N15A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 26A DPAK.

  • DKI03082

    Sanken

    MOSFET N-CH 30V 29A TO-252.

  • DKI10299

    Sanken

    MOSFET N-CH 100V 28A TO-252.

  • DKI06075

    Sanken

    MOSFET N-CH 60V 48A TO-252.

  • FDD1600N10ALZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3.