Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2F-M3/5BT

KEY Part #: K6458050

ES2F-M3/5BT Цены (доллары США) [831152шт сток]

  • 1 pcs$0.04696
  • 9,600 pcs$0.04673

номер части:
ES2F-M3/5BT
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35NS,UF Rect,SMD
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2F-M3/5BT electronic components. ES2F-M3/5BT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2F-M3/5BT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES2F-M3/5BT Атрибуты продукта

номер части : ES2F-M3/5BT
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 300V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 2A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.1V @ 2A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 50ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 300V
Емкость @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AA, SMB
Комплект поставки устройства : DO-214AA (SMB)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BYM07-150HE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified

  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM