Infineon Technologies - IDW30E60AFKSA1

KEY Part #: K6455757

IDW30E60AFKSA1 Цены (доллары США) [45570шт сток]

  • 1 pcs$0.85803
  • 240 pcs$0.85289

номер части:
IDW30E60AFKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IDW30E60AFKSA1 electronic components. IDW30E60AFKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDW30E60AFKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDW30E60AFKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IDW30E60AFKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 60A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 2V @ 30A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 143ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 40µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3
Комплект поставки устройства : TO-247-3
Рабочая температура - соединение : -40°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAS16-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V

  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDSH-4E TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers Enh Spec Schottky 40Vrrm 200mA 250mW

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA