Taiwan Semiconductor Corporation - RS3B M6G

KEY Part #: K6458212

RS3B M6G Цены (доллары США) [966929шт сток]

  • 1 pcs$0.03825

номер части:
RS3B M6G
производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RS3B M6G electronic components. RS3B M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS3B M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS3B M6G Атрибуты продукта

номер части : RS3B M6G
производитель : Taiwan Semiconductor Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 3A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 150ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 100V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AB, SMC
Комплект поставки устройства : DO-214AB (SMC)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFDHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFBHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION

  • SE20AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in