Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP10DE-E3/54

KEY Part #: K6457782

EGP10DE-E3/54 Цены (доллары США) [682537шт сток]

  • 1 pcs$0.05719
  • 5,500 pcs$0.05690

номер части:
EGP10DE-E3/54
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL. Rectifiers 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGP10DE-E3/54 electronic components. EGP10DE-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP10DE-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGP10DE-E3/54 Атрибуты продукта

номер части : EGP10DE-E3/54
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Серии : SUPERECTIFIER®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 950mV @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 50ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 200V
Емкость @ Vr, F : 22pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-204AL, DO-41, Axial
Комплект поставки устройства : DO-204AL (DO-41)
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • BYM07-400-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 400 Volt

  • EGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 100 Volt 50ns

  • BYM07-150-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 150 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated