RMPG06JHE3_A/73 Цены (доллары США) [830857шт сток]
- 1 pcs$0.04452
- 12,000 pcs$0.04034
- номер части:
- RMPG06JHE3_A/73
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06. Rectifiers 1A, 600V, 200NS, FS, MINIGPPRECT.
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RMPG06JHE3_A/73 electronic components. RMPG06JHE3_A/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RMPG06JHE3_A/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RMPG06JHE3_A/73 Атрибуты продукта
номер части :
RMPG06JHE3_A/73
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.3V @ 1A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
200ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
5µA @ 600V
Емкость @ Vr, F :
6.6pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
MPG06, Axial
Комплект поставки устройства :
MPG06
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
1N914B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, 100V 0.15A Swtch Diode/Array
-
BAV21 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
DST5100S
Littelfuse Inc.
DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277B. Schottky Diodes & Rectifiers 5A 100V TO-277B
-
Горячие части
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18