LS4154GS18 Цены (доллары США) [4193785шт сток]
- 1 pcs$0.00882
- 10,000 pcs$0.00831
- номер части:
- LS4154GS18
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 25V 150MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 35 Volt 150mA 2.0 Amp IFSM
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - IGBT - Single ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division LS4154GS18 electronic components. LS4154GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LS4154GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
LS4154GS18 Атрибуты продукта
номер части :
LS4154GS18
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 25V 150MA SOD80
Серии :
Automotive, AEC-Q101
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
25V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
150mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1V @ 30mA
скорость :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Обратное время восстановления (trr) :
4ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
100nA @ 25V
Емкость @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
SOD-80 Variant
Комплект поставки устройства :
SOD-80 QuadroMELF
Рабочая температура - соединение :
175°C (Max)
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Горячие части
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR