BAL74E6327HTSA1 Цены (доллары США) [2645584шт сток]
- 1 pcs$0.01398
- 3,000 pcs$0.01366
- 6,000 pcs$0.01232
- 15,000 pcs$0.01071
- 30,000 pcs$0.00964
- 75,000 pcs$0.00857
- 150,000 pcs$0.00714
- номер части:
- BAL74E6327HTSA1
- производитель:
- Infineon Technologies
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Тиристоры - СКВ ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Infineon Technologies BAL74E6327HTSA1 electronic components. BAL74E6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAL74E6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAL74E6327HTSA1 Атрибуты продукта
номер части :
BAL74E6327HTSA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3
Серии :
-
Состояние детали :
Last Time Buy
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
50V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
250mA (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1V @ 100mA
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
4ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
100nA @ 50V
Емкость @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект поставки устройства :
SOT-23-3
Рабочая температура - соединение :
-65°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Горячие части
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54