Rohm Semiconductor - RBR3LAM30BTFTR

KEY Part #: K6458070

RBR3LAM30BTFTR Цены (доллары США) [845965шт сток]

  • 1 pcs$0.04372

номер части:
RBR3LAM30BTFTR
производитель:
Rohm Semiconductor
Подробное описание:
AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD. Schottky Diodes & Rectifiers 30V VR 3A 0.53V VF PMDTM; SOD-128
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - СКВ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Rohm Semiconductor RBR3LAM30BTFTR electronic components. RBR3LAM30BTFTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RBR3LAM30BTFTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RBR3LAM30BTFTR Атрибуты продукта

номер части : RBR3LAM30BTFTR
производитель : Rohm Semiconductor
Описание : AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 30V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : -
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 80µA @ 30V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SOD-128
Комплект поставки устройства : PMDTM
Рабочая температура - соединение : 150°C (Max)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM