GL34J-E3/83 Цены (доллары США) [793899шт сток]
- 1 pcs$0.04916
- 9,000 pcs$0.04892
- 18,000 pcs$0.04576
- 27,000 pcs$0.04208
- номер части:
- GL34J-E3/83
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL34J-E3/83 electronic components. GL34J-E3/83 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL34J-E3/83, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GL34J-E3/83 Атрибуты продукта
номер части :
GL34J-E3/83
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213
Серии :
SUPERECTIFIER®
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
500mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.3V @ 500mA
скорость :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
1.5µs
Ток - обратная утечка @ Vr :
5µA @ 600V
Емкость @ Vr, F :
4pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
DO-213AA (Glass)
Комплект поставки устройства :
DO-213AA (GL34)
Рабочая температура - соединение :
-65°C ~ 175°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
GL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34J-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
BYM07-150HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified
-
BYM07-400-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34G-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns
-
GL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
Горячие части
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18