BAS116E6433HTMA1 Цены (доллары США) [3737866шт сток]
- 1 pcs$0.01160
- 10,000 pcs$0.01154
- номер части:
- BAS116E6433HTMA1
- производитель:
- Infineon Technologies
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Модули питания драйверов, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - IGBT - Single ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Infineon Technologies BAS116E6433HTMA1 electronic components. BAS116E6433HTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS116E6433HTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS116E6433HTMA1 Атрибуты продукта
номер части :
BAS116E6433HTMA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Серии :
-
Состояние детали :
Last Time Buy
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
80V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
250mA (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.25V @ 150mA
скорость :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
1.5µs
Ток - обратная утечка @ Vr :
5nA @ 75V
Емкость @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект поставки устройства :
SOT-23-3
Рабочая температура - соединение :
150°C (Max)
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Горячие части
- CR5F-120 BK
- IRD3CH11DF6
- FR306TA
- CMSH1-100 BK
- JANTX1N6624U
- JAN1N6622US
- VS-30BQ100GPBF
- DSB3A40
- HS247180R
- UF5A400D1
- RD0106T-H
- UGF15HT-E3/45
- UF1506S-B
- MBRH20045L
- 1N1203BR
- GP10AHE3/54
- MBR1040
- STPS1545R
- MBRD360
- MA2C700A0F
- STTH3L06B-TR
- BYW80-200
- MBRB1045TRL
- 1N6542
- SD233N36S50PSC
- 6TQ045S
- 1N6549
- ES1J-TP
- FS2B-TP
- R2500-TP
- FR203-TP
- 1N4935-TP
- FR503-AP
- RS 1AV
- ES3G R7G
- RB160M-50TR
- MURS360SHE3_A/H
- SE20PDHM3/85A
- GP10-4007-E3/54
- BAS4002LE6327XTMA1