номер части :
DF650R17IE4BOSA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
MOD IGBT 650A PRIME2-1
Состояние детали :
Active
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
1700V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
930A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic :
2.45V @ 15V, 650A
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce :
54nF @ 25V
Рабочая Температура :
-40°C ~ 150°C
Тип монтажа :
Chassis Mount
Комплект поставки устройства :
Module