Infineon Technologies - BSM30GD60DLCBOSA1

KEY Part #: K6534544

BSM30GD60DLCBOSA1 Цены (доллары США) [1194шт сток]

  • 1 pcs$36.28149

номер части:
BSM30GD60DLCBOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSM30GD60DLCBOSA1 electronic components. BSM30GD60DLCBOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM30GD60DLCBOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM30GD60DLCBOSA1 Атрибуты продукта

номер части : BSM30GD60DLCBOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип IGBT : -
конфигурация : Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 40A
Мощность - Макс : 135W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 30A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 1.3nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -40°C ~ 125°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module