RMPG06KHE3_A/54 Цены (доллары США) [962649шт сток]
- 1 pcs$0.04055
- 16,500 pcs$0.04034
- номер части:
- RMPG06KHE3_A/54
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 800V 1A MPG06. Rectifiers 1A, 800V, 200NS, FS, MINIGPPRECT.
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ, Диоды - РФ, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - IGBT - Модули ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RMPG06KHE3_A/54 electronic components. RMPG06KHE3_A/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RMPG06KHE3_A/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RMPG06KHE3_A/54 Атрибуты продукта
номер части :
RMPG06KHE3_A/54
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 800V 1A MPG06
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
800V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.3V @ 1A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
250ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
5µA @ 800V
Емкость @ Vr, F :
6.6pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
MPG06, Axial
Комплект поставки устройства :
MPG06
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
VS-60APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
-
-
BAV20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
-
Горячие части
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18