ITT Cannon, LLC - 120220-0312

KEY Part #: K7359503

120220-0312 Цены (доллары США) [845047шт сток]

1 pcs$0.05366
5,600 pcs$0.05339
11,200 pcs$0.04983
16,800 pcs$0.04805
28,000 pcs$0.04734
56,000 pcs$0.04627

номер части:: 120220-0312

производитель:: ITT Cannon, LLC

Подробное описание:: MICRO UNIVERSAL CONTACT Z 2.5MM. Battery Contacts

Стандартное время изготовления производителя:: В наличии

Срок годности:: Один год

Чип от:: Гонконг

RoHS:

Способ оплаты:

Способ отгрузки:

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Микросхемы и модули РФ, Комплекты для оценки и развития РФ, платы, РЧ переключатели, РЧ Смесители, РЧ диплексеры, балун, РЧ-усилители and Комплекты для оценки и разработки RFID, платы ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in ITT Cannon, LLC 120220-0312 electronic components. 120220-0312 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 120220-0312, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

120220-0312 Атрибуты продукта

номер части : 120220-0312

производитель : ITT Cannon, LLC

Описание : MICRO UNIVERSAL CONTACT Z 2.5MM

Серии : -

Состояние детали : Active

Тип : Shield Finger, Pre-Loaded

форма : -

ширина : 0.038" (0.96mm)

длина : 0.144" (3.66mm)

Рост : 0.098" (2.50mm)

материал : Titanium Copper

золочение : Nickel

Покрытие - толщина : 118.11µin (3.00µm)

Метод крепления : Solder

Рабочая Температура : -

Последние новости

ITT Cannon Trident Connectors

ITT Cannon DL Zero Insertion Force Connectors

ITT Cannon Micro D-Sub Connectors

ITT Cannon D-Subminiature Connectors

ITT Cannon CTC Cable-to-Cable Interconnects

Вы также можете быть заинтересованы в

K4A4G085WE-BIRC

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.
K4ABG165WA-MCWE

Samsung Semiconductor

32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.
K4A4G085WE-BITD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
K4A4G085WF-BCTD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
K4A4G085WF-BITD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.
K4A4G165WE-BCWE

Samsung Semiconductor

4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

English русский