Samsung Semiconductor - K4ABG165WA-MCWE

KEY Part #: K7359579

[22057шт сток]

номер части:: K4ABG165WA-MCWE

производитель:: Samsung Semiconductor

Подробное описание:: 32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

Стандартное время изготовления производителя:: В наличии

Срок годности:: Один год

Чип от:: Гонконг

RoHS:

Способ оплаты:

Способ отгрузки:

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: LPDDR3, LPDDR4X, DDR3, LPDDR5, DDR4, HBM Flarebolt, SLC Nand and GDDR5 ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in Samsung Semiconductor K4ABG165WA-MCWE electronic components. K4ABG165WA-MCWE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4ABG165WA-MCWE, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

K4ABG165WA-MCWE Атрибуты продукта

номер части : K4ABG165WA-MCWE

производитель : Samsung Semiconductor

Описание : 32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample

Серии : DDR4

плотность : 32 Gb

Org. : 2G x 16

скорость : 3200 Mbps

напряжение : 1.2 V

Температура : 0 ~ 85 °C

пакет : 96FBGA

Статус продукта : Sample

Последние новости

Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing

Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018

Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere

Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing

Unlocking the Power of Cloud Computing

Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor

Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD

Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards

Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time

Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM

How Will 5G Impact on Memory?

Speed for the next generation of mobile devices

Вы также можете быть заинтересованы в

K4A4G085WE-BIRC

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.
K4ABG165WA-MCWE

Samsung Semiconductor

32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.
K4A4G085WE-BITD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
K4A4G085WF-BCTD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
K4A4G085WF-BITD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.
K4A4G165WE-BCWE

Samsung Semiconductor

4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

English русский