Samsung Semiconductor - K4A8G165WB-BCWE

KEY Part #: K7359609

[24756шт сток]


    номер части:
    K4A8G165WB-BCWE
    производитель:
    Samsung Semiconductor
    Подробное описание:
    8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: SLC Nand, GDDR6, LPDDR4, DDR3, LPDDR5, DDR4, HBM Aquabolt and LPDDR3 ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4A8G165WB-BCWE electronic components. K4A8G165WB-BCWE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A8G165WB-BCWE, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A8G165WB-BCWE Атрибуты продукта

    номер части : K4A8G165WB-BCWE
    производитель : Samsung Semiconductor
    Описание : 8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    Серии : DDR4
    плотность : 8 Gb
    Org. : 512M x 16
    скорость : 3200 Mbps
    напряжение : 1.2 V
    Температура : 0 ~ 85 °C
    пакет : 96FBGA
    Статус продукта : Mass Production

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • KHA844801X-MC12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MC13

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.4 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MN12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.