Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. DRAM
  4. DDR4
  5. K4ABG085WA-MCWE

Samsung Semiconductor - K4ABG085WA-MCWE

KEY Part #: K7359629

[16719шт сток]

    номер части:
    K4ABG085WA-MCWE
    производитель:
    Samsung Semiconductor
    Подробное описание:
    32 Gb 4G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Sample.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: LPDDR5, LPDDR4X, SLC Nand, LPDDR4, HBM Flarebolt, MODULE, GDDR5 and DDR4 ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4ABG085WA-MCWE electronic components. K4ABG085WA-MCWE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4ABG085WA-MCWE, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4ABG085WA-MCWE Атрибуты продукта

    номер части : K4ABG085WA-MCWE
    производитель : Samsung Semiconductor
    Описание : 32 Gb 4G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Sample
    Серии : DDR4
    плотность : 32 Gb
    Org. : 4G x 8
    скорость : 3200 Mbps
    напряжение : 1.2 V
    Температура : 0 ~ 85 °C
    пакет : 78FBGA
    Статус продукта : Sample

    Последние новости

    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    Speed for the next generation of mobile devices
    How Will 5G Impact on Memory?
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    Samsung Z-SSD SZ985
    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Вы также можете быть заинтересованы в
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • KHA843801B-MC12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA883901B-MC12

      Samsung Semiconductor

      8 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MC12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MC13

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.4 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    Горячие части