Rohm Semiconductor - RRS100P03TB1

KEY Part #: K6419549

RRS100P03TB1 Цены (доллары США) [118440шт сток]

  • 1 pcs$0.33290
  • 2,500 pcs$0.33125

номер части:
RRS100P03TB1
производитель:
Rohm Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - СКВ, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Rohm Semiconductor RRS100P03TB1 electronic components. RRS100P03TB1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RRS100P03TB1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RRS100P03TB1 Атрибуты продукта

номер части : RRS100P03TB1
производитель : Rohm Semiconductor
Описание : MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 10A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : -
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : -
Рабочая Температура : -
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SOP
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в