Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON6370_002

KEY Part #: K6403877

[2206шт сток]


    номер части:
    AON6370_002
    производитель:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 30V DFN.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Тиристоры - СКВ - Модули ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6370_002 electronic components. AON6370_002 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AON6370_002, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    AON6370_002 Атрибуты продукта

    номер части : AON6370_002
    производитель : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    Описание : MOSFET N-CH 30V DFN
    Серии : aMOS™
    Состояние детали : Active
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 23A (Ta), 47A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 13nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 840pF @ 15V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 6.2W (Ta), 26W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : 8-DFN (5x6)
    Пакет / Дело : 8-VDFN Exposed Pad

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • AUIRFR8405

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8403

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8401

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • 2SK3309(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

    • FQD3N50CTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

    • RJL5012DPP-M0#T2

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 500V 12A TO220.