ON Semiconductor - SSVMUN5312DW1T2G

KEY Part #: K6528817

SSVMUN5312DW1T2G Цены (доллары США) [877311шт сток]

  • 1 pcs$0.04216
  • 6,000 pcs$0.03981

номер части:
SSVMUN5312DW1T2G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы специального назначения and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor SSVMUN5312DW1T2G electronic components. SSVMUN5312DW1T2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSVMUN5312DW1T2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSVMUN5312DW1T2G Атрибуты продукта

номер части : SSVMUN5312DW1T2G
производитель : ON Semiconductor
Описание : TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 22 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : 22 kOhms
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500nA
Частота - Переход : -
Мощность - Макс : 187mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект поставки устройства : SC-88/SC70-6/SOT-363

Вы также можете быть заинтересованы в