Toshiba Semiconductor and Storage - 2SA1312GRTE85LF

KEY Part #: K6390830

2SA1312GRTE85LF Цены (доллары США) [1484466шт сток]

  • 1 pcs$0.02492

номер части:
2SA1312GRTE85LF
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1312GRTE85LF electronic components. 2SA1312GRTE85LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SA1312GRTE85LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2SA1312GRTE85LF Атрибуты продукта

номер части : 2SA1312GRTE85LF
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : PNP
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 120V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 300mV @ 1mA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 100nA (ICBO)
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 200 @ 2mA, 6V
Мощность - Макс : 150mW
Частота - Переход : 100MHz
Рабочая Температура : 125°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект поставки устройства : S-Mini

Вы также можете быть заинтересованы в